IT之家 2 月 22 日新闻，三星在国际固态电路集会（ISSCC）中基于 LPDDR5 规格推出了全新技巧 ——LPDDR5-Ultra-Pro DRAM。响应 DRAM 芯片采取 1.05V 尺度电压跟公司第五代 10nm 级 DRAM 工艺，可实现高达 12700 MT/s 的数据传输速度，革新了 LPDDR5X 的最高记录。三星表现，为到达如斯高的速度，该公司引入了两项专有电路级技巧“四相自校准环路”跟“AC 耦合收发器平衡技巧”。在“四相自校准环路”方面，三星表现这种技巧可确保 DRAM 外部四个时钟相位（0°、90°、180°、270°）在高速传输进程中坚持准确对齐。因为即便渺小的相位偏向（相位偏移）也会影响时序跟机能，而现在该公司推出的这一校准环路记载可丈量各相位对（比方 0° 与 180°、90° 与 270°）之间的偏向，并经由过程“翻转”跟“不翻转”两步比拟，主动弥补实在的时钟相位偏差，从而调剂各相位以坚持整洁平均的时钟边沿。三星还先容了“AC 耦合收发器平衡技巧”，称在高速数据传输时，旌旗灯号轻易遭遇衰减跟码间串扰，而三星这一技巧重要经由过程晋升时钟旌旗灯号、平衡接受器以及对发射器停止预减轻，确保旌旗灯号在传输进程中保持高品质，从而满意乃至超出 JEDEC 对 LPDDR5X 的数据传输跟功耗请求。依据三星讲演，采取了上述技巧的 LPDDR5-Ultra-Pro DRAM 芯片在 1.05V 下可实现最高 12700 MT/s 的数据传输速度；而在 10700 MT/s 的运转前提下，其稳固性仍然坚持在 0.9V 以上，三星称“这验证了公司内存产物技巧的牢靠性”。